اكتسبت خلايا البيروفسكايت الشمسية الكثير من الاهتمام في السنوات الأخيرة بسبب إمكاناتها العالية في كفاءة تحويل الطاقة (PCE) وانخفاض تكلفة الإنتاج. وعلى الرغم من هذه المزايا، إلا أنها لا تزال غير قابلة للتسويق، ويرجع ذلك أساسًا إلى انخفاض استقرارها. نسعى في هذا البحث إلى تحقيق كفاءة واستقرار أفضل من خلال التركيب والهندسة السطحية لطبقة البيروفسكايت. تتم هندسة السطح باستخدام عوامل التخميل بهدف تخميل الحالات المحاصرة العميقة على واجهة البيروفسكايت وETM. باستخدام تقنية TRPL وجدنا 4 جزيئات محتملة لعامل التخميل، وهي رباعي بروميد التيتانيوم، وبروميد رباعي بيوتيل الأمونيوم، و1،4-ثنائي ميثيل-4H-1،2،4-يوديد تريازوليوم، و4-فلوروفينيثيلامونيوم. يمكن أن يكون لهذه الجزيئات تأثير إيجابي على معدل إعادة التركيب في طبقة البيروفسكايت وتؤدي إلى تحسين كفاءة تحويل الطاقة للجهاز. للحصول على استقرار أفضل، انحرفنا عن صيغة البيروفسكايت التي تمت دراستها في الغالب لـ MAPbI3 واختبرنا صيغة مخدرة بالسيزيوم (Cs0.1FA0.9PbI3). أظهر حيود XRD للصيغة الجديدة ثباتًا شديدًا لمرحلة α من البيروفسكايت حتى بعد 4 أيام من التعرض للبيئة الخارجية، وأعطى الجهاز المصنوع بالصيغة الجديدة PCE بنسبة 19.45%.